【產品推薦】半導體檢查、晶片檢查LLBKC-BA-1650
      
                
      
                    
      ?【產品推薦】半導體檢查、晶片檢查LLBKC-BA-1650
      

      特性
      

      ●可照射NIR（近紅外波長740nm~1000nm）SWIR（短波紅外波長1000nm～1700nm）區域的光源BOX
      

      ●使用NIR/SWIR光也可以實現在可見光下難以拍攝的同色異物識別和封裝印刷物的透過拍攝
      

      ●SWIR光可用于有效利用硅的透過和水的波長吸收特性的檢查
      

      ※為了拍攝需要銦·砷化鎵（InGaAs）傳感器相機
      

      ?
      

      用途示例
      

      半導體檢查、晶片檢查、電子基板檢查、
      

      太陽能電池檢查、農產品檢查、識別分類、監視、防偽、工程質量管理
      

      發射波長
      

      740nm
      

      850nm
      

      940nm
      

      1,050納米
      

      1,100納米
      

      1,200納米
      

      1,300納米
      

      1,450納米
      

      1,550納米
      

      1,650納米