【光源科普】極紫外 (EUV) 和半導體
      
                
      
                    
      ?【光源科普】極紫外 (EUV) 和半導體
      

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      極紫外 (EUV) 是波長為13.5納米的極短紫外線
      

      它具有與X射線相似的特性。
      

      采用尖端微加工技術，實現極高的分辨率。
      

      極紫外（EUV）技術的開發是為了實現傳統光刻技術難以實現的下一代超精細加工。
      

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      極紫外 (EUV) 和半導體
      

      在半導體制造的光刻技術中，紫外光的波長越短，可以形成更高分辨率的圖案。?
      

      ArF準分子激光器（波長：193納米）主要用于半導體制造。
      

      ?ArF光刻利用浸沒技術實現了45納米以下的微細加工，
      

      但進一步小型化還存在限制。
      

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      EUV光刻技術的引入使得形成22納米或更小的電路圖案成為可能，這在以前是很困難的。
      

      這提高了半導體的性能并節省了能源，
      

      從而提高了智能手機和計算機的處理能力。
      

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      另一方面，EUV光刻仍然面臨光源成本和技術問題。
      

      大規模生產的進一步開發正在進行中。
      

      盡管極紫外（EUV）技術與ArF浸沒技術相比具有更高的分辨率，但它仍然是一項正在開發中的技術。
      

      進一步提高光源的輸出并開發利用高輸出光源的微加工技術正在取得進展。
      

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